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K2平面毒性 CO 氣體傳感器的詳細(xì)資料

平面毒性 CO 氣體傳感器概述

K2 型一氧化碳檢測(cè)用平面半導(dǎo)體氣敏元件采用優(yōu)良的平面厚膜生產(chǎn) 工藝,由加熱器以及微型 Al2O3陶瓷基片上形成的金屬氧化物半導(dǎo)體材料構(gòu) 成,用電極引線引出,封裝在金屬管座、管帽內(nèi)。采用高低溫循環(huán)檢測(cè)方式檢 測(cè)一氧化碳(1.5V),高溫(5.0V)時(shí)清洗低溫時(shí)吸附的雜質(zhì)氣體。傳感器 的電導(dǎo)率隨空氣中一氧化碳?xì)怏w濃度增加而增大,使用簡單的電路即可將電 導(dǎo)率的變化轉(zhuǎn)換為與該氣體濃度相對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)。

平面毒性 CO 氣體傳感器特點(diǎn)平面毒性 CO 氣體傳感器

? 低功耗 

? 壽命長 

? 成本低 

? 體積小 

? 應(yīng)用電路簡單

主要應(yīng)用

? 家用一氧化碳泄漏檢測(cè) 

? 工業(yè)一氧化碳報(bào)警器 

? 便攜式一氧化碳檢測(cè)

規(guī)格參數(shù)

平面毒性 CO 氣體傳感器

基本電路

平面毒性 CO 氣體傳感器

外形尺寸

平面毒性 CO 氣體傳感器

注意事項(xiàng)

1 必須避免的情況 

1.1 暴露于有機(jī)硅蒸氣中 如果傳感器的表面吸附了有機(jī)硅蒸氣,傳感器的敏感材料會(huì)被包裹住,抑制傳感器的敏 感性,并且不可恢復(fù)。傳感器要避免暴露其在硅粘接劑、發(fā)膠、硅橡膠、膩?zhàn)踊蚱渌杷?料添加劑可能存在 的地方。

1.2 高腐蝕性的環(huán)境 傳感器暴露在高濃度的腐蝕性氣體(如 H2S,SOXCl2,HCl 等)中,不僅會(huì)引起加熱材 料及傳感器引線的腐蝕或破壞,并會(huì)引起敏感材料性能發(fā)生不可逆的改變。 

1.3 堿、堿金屬鹽、鹵素的污染 傳感器被堿金屬尤其是鹽水噴霧污染后,及暴露在鹵素如氟中也會(huì)引起性能劣變。

1.4 接觸到水 濺上水或浸到水中會(huì)造成敏感特性下降。 

1.5 結(jié)冰 水在敏感元件表面結(jié)冰會(huì)導(dǎo)致敏感材料碎裂而喪失敏感特性。

1.6 施加電壓過高 如果給敏感元件或加熱器施加的電壓高于規(guī)定值,即使傳感器沒有受到物理損壞或破 壞,也會(huì)造成引線和/或加熱器損壞,并引起傳感器敏感特性下降。


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